Semikonduktor Kelas 3000°C Suhu Maksimum Grafitisasi Tungku dengan Sistem Filtrasi Efisiensi Tinggi

Pemurnian Tabung Nano Karbon Semikonduktor Tungku Grafitisasi Vakum Suhu Tinggi dengan Perlakuan Kimia

Tungku pemurnian karbon nanotube tingkat semikonduktor JTG-SC3000 menggabungkan grafitisasi suhu tinggi dengan metode pemurnian kimia. Direkayasa untuk kendaraan energi baru, semikonduktor, dan industri material canggih yang membutuhkan material karbon nanotube dengan kemurnian sangat tinggi.

Fitur Utama

• Gabungan metode pemurnian suhu tinggi dan kimia untuk kemurnian maksimum
• Suhu kerja 3000℃ untuk grafitisasi tabung nano karbon lengkap
• Sistem filtrasi efisiensi tinggi untuk menghilangkan kontaminan selama pemrosesan
• ±5℃ keseragaman suhu di seluruh ruang pemrosesan
• Konstruksi SS 304 dengan lapisan internal tahan korosi

Aplikasi

Dirancang untuk pemurnian tabung nano karbon industri semikonduktor, bahan baterai kendaraan energi baru, dan manufaktur komponen elektronik canggih.

Keuntungan Teknis

• Metode pemurnian ganda mencapai tingkat kemurnian melebihi standar industri
• Filtrasi efisiensi tinggi menangkap kontaminan logam selama pemrosesan
• Keseragaman suhu memastikan kualitas CNT yang konsisten di seluruh batch besar
• Desain tahan korosi untuk masa pakai yang lama di lingkungan pemrosesan kimia

Layanan Purna Jual

Garansi komprehensif 1 tahun dengan dukungan teknis jarak jauh. Instalasi dan pelatihan di tempat tersedia. Suku cadang disediakan dalam 7 hari kerja. Termasuk konsultasi teknis seumur hidup.